Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SIHH11N60E-T1-GE3 МОП-транзистор E-Series Vds 600V Rds(On) 0.339 @10V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SIHH11N60E-T1-GE3 МОП-транзистор E-Series Vds 600V Rds(On) 0.339 @10V

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1384233

SIHH11N60E-T1-GE3 МОП-транзистор E-Series Vds 600V Rds(On) 0.339 @10V

МОП-транзистор E-Series Vds 600V Rds(On) 0.339 @10V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокPowerPAK
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеE Series
Количество каналов1 Channel
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности114 W
Время спада21 ns
Время нарастания21 ns
Конфигурация1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток339 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Id - непрерывный ток утечки11 A
Vgs - напряжение затвор-исток+/- 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Qg - заряд затвора31 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.3.7 S
Типичное время задержки выключения39 ns
Типичное время задержки при включении16 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel