SIR640ADP-T1-GE3 МОП-транзистор 40V 2mOhm@10V 60A N-CH
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1384347
МОП-транзистор 40V 2mOhm@10V 60A N-CH
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | SIRxxxADP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | - |
| Pd - рассеивание мощности | 104 W |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 70 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 900 mV |
| Qg - заряд затвора | 60 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 82 S |
| Типичное время задержки выключения | 42 ns |
| Типичное время задержки при включении | 38 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |