SIR662DP-T1-GE3 МОП-транзистор 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1384348
МОП-транзистор 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | SIRxxxDP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Коммерческое обозначение | ThunderFET TrenchFET |
| Другие названия товара № | SIR662DP-GE3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 104 W |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.7 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V to 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 64 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 93 S |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |