SIR800DP-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 50A N-CH МОП-транзистор
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1384355
МОП-транзистор 20V 50A N-CH МОП-транзистор
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | SIRxxxDP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Другие названия товара № | SIR800DP-GE3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 69 W |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.9 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 0.6 V to 1.5 V |
| Qg - заряд затвора | 89 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 96 S |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |