Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SIR882ADP-T1-GE3 МОП-транзистор 100V 8.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SIR882ADP-T1-GE3 МОП-транзистор 100V 8.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1384382

SIR882ADP-T1-GE3 МОП-транзистор 100V 8.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

МОП-транзистор 100V 8.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSO-8
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияSIRxxxADP
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеThunderFET TrenchFET
Другие названия товара №SIR882ADP-GE3
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности83 W
Время спада9 ns
Время нарастания12 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток8.7 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Id - непрерывный ток утечки60 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.8 V
Qg - заряд затвора19.5 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.60 S
Типичное время задержки выключения34 ns
Типичное время задержки при включении11 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel