SIRA06DP-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1384389
МОП-транзистор 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | SIRAxxDP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Другие названия товара № | SIRA06DP-GE3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 27.7 W |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Qg - заряд затвора | 34.3 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |