Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SIS322DNT-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 7.5mOhm@10V 38.3A N-Ch G-IV купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SIS322DNT-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 7.5mOhm@10V 38.3A N-Ch G-IV

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1384396

SIS322DNT-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 7.5mOhm@10V 38.3A N-Ch G-IV

МОП-транзистор 30V 7.5mOhm@10V 38.3A N-Ch G-IV

Характеристики

Упаковка / блокPowerPAK-1212-8
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияSISxxxDN
Размер фабричной упаковки3000
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности19.8 W
Время спада14 ns
Время нарастания20 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток7.5 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Id - непрерывный ток утечки30 A
Vgs - напряжение затвор-исток2.4 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.4 V
Qg - заряд затвора6.9 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.54 S
Типичное время задержки выключения30 ns
Типичное время задержки при включении30 ns
Тип транзистора1 N-Channel