SIS414DN-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 20A N-CH МОП-транзистор
МОП-транзистор 20V 20A N-CH МОП-транзистор
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | SISxxxDN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | SIS414DN-GE3 |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 31 W |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 12 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 0.6 V to 1.5 V |
Qg - заряд затвора | 22 nC |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S |
Тип транзистора | 1 N-Channel |