Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SIS436DN-T1-GE3 МОП-транзистор 25V 16A 27.7W 10.5mohm @ 10V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SIS436DN-T1-GE3 МОП-транзистор 25V 16A 27.7W 10.5mohm @ 10V

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1384416

SIS436DN-T1-GE3 МОП-транзистор 25V 16A 27.7W 10.5mohm @ 10V

МОП-транзистор 25V 16A 27.7W 10.5mohm @ 10V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокPowerPAK-1212-8
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияSISxxxDN
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №SIS436DN-GE3
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности3.5 W
Время спада10 ns
Время нарастания12 ns
КонфигурацияSingle Quad Drain Triple Source
Rds Вкл - сопротивление сток-исток8.05 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток25 V
Id - непрерывный ток утечки16 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.45 S
Типичное время задержки выключения15 ns
Типичное время задержки при включении15 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel