SIS476DN-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
МОП-транзистор 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | SISxxxDN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Другие названия товара № | SIS476DN-GE3 |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 52 W |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 2.3 V |
Qg - заряд затвора | 22.5 nC |
Тип транзистора | 1 N-Channel |