Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SIS890DN-T1-GE3 МОП-транзистор 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SIS890DN-T1-GE3 МОП-транзистор 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1384440

SIS890DN-T1-GE3 МОП-транзистор 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET

МОП-транзистор 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET

Характеристики

Упаковка / блокPowerPAK-1212-8
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияSISxxxDN
Размер фабричной упаковки3000
Коммерческое обозначениеThunderFET TrenchFET
Другие названия товара №SIS890DN-GE3
Количество каналов2 Channel
Pd - рассеивание мощности52 W
КонфигурацияDual
Rds Вкл - сопротивление сток-исток23.5 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Id - непрерывный ток утечки30 A
Vgs - напряжение затвор-исток3 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Qg - заряд затвора9.5 nC
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора2 N-Channel