SISA14DN-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 5.1mOhm@10V 14.1A N-Ch G-IV
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1384447
МОП-транзистор 30V 5.1mOhm@10V 14.1A N-Ch G-IV
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | SISAxxDN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | - |
| Pd - рассеивание мощности | 26.5 W |
| Время спада | 9 ns |
| Время нарастания | 12 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.1 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | - 16 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Qg - заряд затвора | 19.4 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 65 S |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |