SISS40DN-T1-GE3 МОП-транзистор 100V .0210ohm@10V 36.5A N-Ch T-FET
МОП-транзистор 100V .0210ohm@10V 36.5A N-Ch T-FET
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | SISxxxDN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | ThunderFET TrenchFET |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 52 W |
Время спада | 5 ns |
Время нарастания | 5 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 21.6 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Id - непрерывный ток утечки | 36.5 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
Qg - заряд затвора | 16 nC |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 25 S |
Типичное время задержки выключения | 14 ns |
Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Тип транзистора | 1 N-Channel |