Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SISS40DN-T1-GE3 МОП-транзистор 100V .0210ohm@10V 36.5A N-Ch T-FET купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SISS40DN-T1-GE3 МОП-транзистор 100V .0210ohm@10V 36.5A N-Ch T-FET

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1384452

SISS40DN-T1-GE3 МОП-транзистор 100V .0210ohm@10V 36.5A N-Ch T-FET

МОП-транзистор 100V .0210ohm@10V 36.5A N-Ch T-FET

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокPowerPAK-1212-8
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияSISxxxDN
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеThunderFET TrenchFET
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности52 W
Время спада5 ns
Время нарастания5 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток21.6 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Id - непрерывный ток утечки36.5 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.5 V
Qg - заряд затвора16 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.25 S
Типичное время задержки выключения14 ns
Типичное время задержки при включении14 ns
Тип транзистора1 N-Channel