SIZ910DT-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 40A / 40A Dual N-Ch МОП-транзистор
МОП-транзистор 30V 40A / 40A Dual N-Ch МОП-транзистор
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | WDFN-8 |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | SIZxxxDT |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | SIZ910DT-GE3 |
Количество каналов | 2 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 4.6 W, 5.2 W |
Время спада | 10 ns, 12 ns |
Время нарастания | 25 ns, 35 ns |
Конфигурация | Dual |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 mOhms, 2.5 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Id - непрерывный ток утечки | 22 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 94 S, 140 S |
Тип транзистора | 2 N-Channel |