Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SMBT3906DW1T1G Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 40V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SMBT3906DW1T1G Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 40V

Производитель
ON Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1384529

SMBT3906DW1T1G Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 40V

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 40V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOT-363
Торговая маркаON Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияSMBT3906DW1T1G
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Pd - рассеивание мощности150 mW
КонфигурацияDual
Полярность транзистораPNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.- 40 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)- 40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)- 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер- 0.25 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300