ssm3k324r,lf МОП-транзистор N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
МОП-транзистор N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
Характеристики
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
---|---|
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | U-MOSVI |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 109 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 0.4 V to 1 V |
Qg - заряд затвора | 2.2 nC |
Тип транзистора | 1 N-Channel |