ssm6j505nu,lf МОП-транзистор P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF
МОП-транзистор P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | UDFN-6 |
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | U-MOSVI |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 61 mOhms |
Полярность транзистора | P-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 12 V |
Id - непрерывный ток утечки | - 12 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | - 0.3 V to - 1 V |
Qg - заряд затвора | 37.6 nC |
Тип транзистора | 1 P-Channel |