ssm6n57nu,lf МОП-транзистор 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1385282
МОП-транзистор 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
Характеристики
| Упаковка / блок | UDFN-6 |
|---|---|
| Торговая марка | Toshiba |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | U-MOSVI |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Конфигурация | Dual |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 82 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 0.4 V to 1 V |
| Qg - заряд затвора | 3.2 nC |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |