SSM6N7002FUTE85LF МОП-транзистор SMOS
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1385288
МОП-транзистор SMOS
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | US-6 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Время спада | 72 ns |
| Время нарастания | 72 ns |
| Конфигурация | Dual |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.3 Ohms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 170 mS |
| Типичное время задержки выключения | 69 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |