SSVBC846BPDW1T1G Биполярные транзисторы - BJT SS DUAL GEN XSTR
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1385316
Биполярные транзисторы - BJT SS DUAL GEN XSTR
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-363 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | SSVBC846BPDW1T1G |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | -65 V, 65 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | -80 V, 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V, 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.3 V, 0.25 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 100 mA, 100 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 475 |