STD1802T4 Биполярные транзисторы - BJT IGBT & Power Bipolar
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1385575
Биполярные транзисторы - BJT IGBT & Power Bipolar
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | STD1802 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Pd - рассеивание мощности | 15000 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 100 mA at 2 V, 100 at 3 A at 2 V |