STD888T4 Биполярные транзисторы - BJT IGBT & Power Bipolar
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1385710
Биполярные транзисторы - BJT IGBT & Power Bipolar
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | STD888T4 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Pd - рассеивание мощности | 15000 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 |