Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
STGB3NC120HDT4 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

STGB3NC120HDT4 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast

Производитель
STMicroelectronics

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1385975

STGB3NC120HDT4 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast

Характеристики

Упаковка / блокD2PAK
Торговая маркаSTMicroelectronics
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияSTGB3NC120HD
Размер фабричной упаковки1000
Pd - рассеивание мощности75 W
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.3 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C14 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V