STGFW80V60F Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-3PF |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | 600-650V IGBTs |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 79 W |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 120 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |