STGIPQ3H60T-HL Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1386047
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | N2DIP-26 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 3 A |