Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
STGP10H60DF Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

STGP10H60DF Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd

Производитель
STMicroelectronics

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1386072

STGP10H60DF Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.10 A

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 175 C
Упаковка / блокTO-220-3
Торговая маркаSTMicroelectronics
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
Серия600-650V IGBTs
Размер фабричной упаковки1000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Pd - рассеивание мощности115 W
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C20 A
Ток утечки затвор-эмиттер250 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V