STGW60H65DF Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1386162
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
Характеристики
| Упаковка / блок | TO-247 |
|---|---|
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | 600-650V IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Pd - рассеивание мощности | 360 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 120 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |