STGWA40H120F2 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1386188
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 468 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |