STH80N10F7-2 МОП-транзистор POWER МОП-транзистор
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1386270
МОП-транзистор POWER МОП-транзистор
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | H2PAK-2 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | N-channel STripFET |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 32 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.5 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 45 nC |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |