TGF2977-SM РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 225 C |
---|---|
Упаковка / блок | QFN-16 |
Торговая марка | TriQuint (Qorvo) |
Усиление | 13 dB |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Tray |
Другие названия товара № | 1127257 |
Технология | GaN SiC |
Pd - рассеивание мощности | 8.4 W |
Средства разработки | TGF2977-SMEVB1 |
Выходная мощность | 6 W |
Рабочая частота | DC to 12 GHz |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 32 V |
Id - непрерывный ток утечки | 326 mA |
Тип транзистора | HEMT |
Vds - напряжение пробоя затвор-исток | - 2.7 V |