TGF2978-SM РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 225 C |
---|---|
Упаковка / блок | QFN-20 |
Торговая марка | TriQuint (Qorvo) |
Усиление | 11 dB |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Tray |
Другие названия товара № | 1127373 |
Технология | GaN SiC |
Pd - рассеивание мощности | 33 W |
Средства разработки | TGF2978-SMEVB1 |
Выходная мощность | 19 W |
Рабочая частота | DC to 12 GHz |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 32 V |
Id - непрерывный ток утечки | 1.3 A |
Тип транзистора | HEMT |
Vds - напряжение пробоя затвор-исток | - 2.7 V |