TH430 РЧ биполярные транзисторы RF Transistor
РЧ биполярные транзисторы RF Transistor
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
---|---|
Упаковка / блок | M177 |
Торговая марка | Advanced Semiconductor, Inc. |
Вид монтажа | Screw |
Упаковка | Tray |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 330 W |
Рабочая частота | 30 MHz |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 55 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |
Тип транзистора | Bipolar Power |
Непрерывный коллекторный ток | 40 A |