TH58BYG2S3HBAI6 EEPROM 1.8V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
EEPROM 1.8V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 85 C |
---|---|
Упаковка / блок | BGA-63 |
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Tray |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Напряжение питания - мин. | 1.7 V |
Рабочее напряжение питания | 1.8 V |
Тип интерфейса | Parallel |
Размер памяти | 4 Gbit |
Организация | 512 M x 8 |
Время доступа | 25 ns |
Напряжение питания - макс. | 1.95 V |