TIP30 Биполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur
Биполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | Central Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | TIP30 |
Размер фабричной упаковки | 400 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | BK |
Pd - рассеивание мощности | 30 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 700 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 at 1 A, 4 V |