TIP32CTU Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor
Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | TIP32 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Вес изделия | 1.214 g |
Pd - рассеивание мощности | 40 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 40 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 40 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 1.2 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |