TIP35CP Биполярные транзисторы - BJT Complementary power transistors
Биполярные транзисторы - BJT Complementary power transistors
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-3P |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | 500V Transistors |
Размер фабричной упаковки | 300 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 125000 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 25 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 1.5 A at 4 V, 10 at 15 A at 4 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 25 |