TIP36C Биполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur Power
Биполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur Power
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-247 |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | 500V Transistors |
Размер фабричной упаковки | 600 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 125 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 25 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 10 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 50 |