TIP47 Биполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur Power
Биполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur Power
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | 500V Transistors |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 40 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 250 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 350 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 10 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 150 |