tk10j80e,s1e МОП-транзистор PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1387456
МОП-транзистор PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Время спада | 35 ns |
| Время нарастания | 40 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 700 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 46 nC |
| Типичное время задержки выключения | 140 ns |
| Типичное время задержки при включении | 80 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |