tk9j90e,s1e МОП-транзистор PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
МОП-транзистор PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-3P-3 |
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Reel |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 250 W |
Время спада | 35 ns |
Время нарастания | 40 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Qg - заряд затвора | 46 nC |
Типичное время задержки выключения | 140 ns |
Типичное время задержки при включении | 80 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |