tk9p65w,rq МОП-транзистор Power МОП-транзистор N-Channel
МОП-транзистор Power МОП-транзистор N-Channel
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | DPAK-3 |
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Количество каналов | 1 Channel |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 80 W |
Время спада | 5 ns |
Время нарастания | 16 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 460 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Id - непрерывный ток утечки | 9.3 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Qg - заряд затвора | 20 nC |
Типичное время задержки выключения | 70 ns |
Типичное время задержки при включении | 40 ns |
Канальный режим | Enhancement |