tmbt3906,lm Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1387723
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 400 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 150 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 at - 10 mA at - 1 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at - 10 mA at - 1 V |