tpcp8701(te85l,f,m Биполярные транзисторы - BJT Transistor NPN Dual 50V, 2A
Биполярные транзисторы - BJT Transistor NPN Dual 50V, 2A
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | PS |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Pd - рассеивание мощности | 1770 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 400 at 0.3 A at 2 V |