tpcp8901(te85l,f,m Биполярные транзисторы - BJT Transistor NPN PNP 50V 1A
Биполярные транзисторы - BJT Transistor NPN PNP 50V 1A
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | PS |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 480 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V @ NPN or 50 V @ PNP |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A @ NPN or 0.8 A @ PNP |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 400 at 0.1 A at 2 V |