Главная » Каталог по назначению » Дискретные полупроводниковые приборы » Транзисторы » Транзисторы Toshiba » tph11006nl,lq МОП-транзистор Power moSFET N-ch 30V tph11006nl,lq МОП-транзистор Power moSFET N-ch 30V
tph11006nl,lq МОП-транзистор Power moSFET N-ch 30V
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1387972
МОП-транзистор Power moSFET N-ch 30V
Характеристики
Упаковка / блок SOP-8 Торговая марка Toshiba Вид монтажа SMD/SMT Упаковка Reel Серия U-MOSVIII Другие названия товара № TPH11006NL,LQ(S Количество каналов 1 Channel Pd - рассеивание мощности 34 W Время спада 7.1 ns Время нарастания 4 ns Rds Вкл - сопротивление сток-исток 17 mOhms Полярность транзистора N-Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V Id - непрерывный ток утечки 40 A Vgs - напряжение затвор-исток 20 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V Qg - заряд затвора 23 nC Типичное время задержки выключения 27 ns Типичное время задержки при включении 11 ns Канальный режим Enhancement Тип транзистора 1 N-Channel
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1387972
МОП-транзистор Power moSFET N-ch 30V
Характеристики
| Упаковка / блок | SOP-8 |
|---|---|
| Торговая марка | Toshiba |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | U-MOSVIII |
| Другие названия товара № | TPH11006NL,LQ(S |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 34 W |
| Время спада | 7.1 ns |
| Время нарастания | 4 ns |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Типичное время задержки выключения | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |