Главная » Каталог по назначению » Дискретные полупроводниковые приборы » Транзисторы » Транзисторы Toshiba » tpn13008nh,l1q МОП-транзистор Power moSFET N-ch 60V tpn13008nh,l1q МОП-транзистор Power moSFET N-ch 60V
tpn13008nh,l1q МОП-транзистор Power moSFET N-ch 60V
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1388006
МОП-транзистор Power moSFET N-ch 60V
Характеристики
Упаковка / блок TSON-8 Торговая марка Toshiba Вид монтажа SMD/SMT Упаковка Reel Серия U-MOSVIII Количество каналов 1 Channel Pd - рассеивание мощности 42 W Время спада 5 ns Время нарастания 4.5 ns Rds Вкл - сопротивление сток-исток 13.3 mOhms Полярность транзистора N-Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток 80 V Id - непрерывный ток утечки 40 A Vgs - напряжение затвор-исток 20 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V Qg - заряд затвора 18 nC Типичное время задержки выключения 18 ns Типичное время задержки при включении 14 ns Канальный режим Enhancement Тип транзистора 1 N-Channel
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1388006
МОП-транзистор Power moSFET N-ch 60V
Характеристики
| Упаковка / блок | TSON-8 |
|---|---|
| Торговая марка | Toshiba |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | U-MOSVIII |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 42 W |
| Время спада | 5 ns |
| Время нарастания | 4.5 ns |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13.3 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |