Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
tpn2r203nc,l1q МОП-транзистор X35PBF Power МОП-транзистор Trans VGS10V VDS30V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

tpn2r203nc,l1q МОП-транзистор X35PBF Power МОП-транзистор Trans VGS10V VDS30V

Производитель
Toshiba

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1388011

tpn2r203nc,l1q МОП-транзистор X35PBF Power МОП-транзистор Trans VGS10V VDS30V

МОП-транзистор X35PBF Power МОП-транзистор Trans VGS10V VDS30V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTSON-8
Торговая маркаToshiba
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки5000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности42 W
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.8 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Id - непрерывный ток утечки45 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.3 V to 2.3 V
Qg - заряд затвора34 nC
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel