tta0002(q) Биполярные транзисторы - BJT PNP -35A 180W 80 HFE -2V Trans
Биполярные транзисторы - BJT PNP -35A 180W 80 HFE -2V Trans
Характеристики
Упаковка / блок | 2-21F1A |
---|---|
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Размер фабричной упаковки | 100 |
Pd - рассеивание мощности | 180 W |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 160 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 160V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 2 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | - 35 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 |