UMZ8NTR Биполярные транзисторы - BJT DUAL PNP/NPN
Биполярные транзисторы - BJT DUAL PNP/NPN
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | UMT-6 |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | UMZ8N |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V, 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 15 V, 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V at NPN, 6 V at PNP |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A at NPN, 0.5 A at PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz, 260 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 120 at 1 mA at 6 V |