VEMT2023X01 Фототранзисторы 20V 100mW 35Deg
Фототранзисторы 20V 100mW 35Deg
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 100 C |
---|---|
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Reel |
Серия | VEMT |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Продукт | Phototransistors |
Тип | Silicon NPN Phototransistor |
Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
Темновой ток | 1 nA |
Длина волны | 860 nm |
Максимальный ток коллектора во включенном состоянии | 50 mA |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 20 V |
Слабый ток | 2.7 mA |